Вышедшие номера
Влияние электронной эмиссии с коллектора на распределение потенциала в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией в недокомпенсированном режиме
Ситнов В.И.1, Эндер А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Теоретически исследуются распределения потенциалов в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией в недокомпенсированном режиме при наличии электронной эмиссии с поверхности коллектора. Разработан метод расчета распределений потенциалов. Показано, что при достаточно сильной эмиссии с коллектора не образуются волнистые распределения потенциалов, а происходит непрерывный переход от распределения с виртуальным анодом к распределению с виртуальным катодом. Особое внимание уделено изучению окрестности точки перехода от одного из этих распределений к другому.