Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
Костишко Б.М.1, Орлов А.М.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 15 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
В работе исследуется влияние электронного облучения на светоизлучающие свойства пористого кремния (ПК) p- и n-типа, приготовленного электрохимическим травлением. Определены дозовые и энергетические зависимости электронностимулированного гашения фотолюминесценции (ФЛ). Показано, что электронная обработка поверхности ПК и последующее длительное хранение на воздухе могут быть использованы для стабилизации ФЛ. Впервые обнаружен эффект возгорания фотолюминесценции под действием УФ лазера на участках ПК, подвергшихся предварительной электронной обработке. Исследовано влияние энергии электронов и мощности лазерного луча на этот процесс. Представленные результаты объясняются изменением количества центров излучательной рекомбинации в процессе разрушения и восстановления водородных групп на поверхности пор.
- Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P. 1046--1048
- Журавлев К.С., Степина Н.П., Шамирзаев Е.С. и др. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 3. С. 482--487
- Stevens P.D. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63. P. 803--805
- Пикулов В.Б., Кузнецов С.Н., Ильин А.М. // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 10. С. 170--174
- Астрова Е.В., Витман Р.Ф., Емцев В.В. и др. // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 3. С. 507--515
- Migazaki S., Shiba K., Sakamoto K. et al. // Optoelectron. 1992. Vol. 7. N 1. P. 95--102
- Бару В.Г., Колмакова Т.П., Ормонт А.Б. и др. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 20. С. 62--66
- Петров А.В., Петрухин А.Г. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 1. С. 82--85
- Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.: Энергоиздат, 1991. 264 с
- Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. // Поверхность. 1996. N 2. С. 32--35
- Fuchs H.D., Stutzmann M., Brandt M.S. et al. // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. N 11. P. 8172--8189
- Tsai C., Li K.-H., Sarathz J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59(22). P. 2814--2816
- Костишко Б.М., Орлов А.М., Миков С.Н. и др. // Изв. РАН. Неорган. материалы. 1995. Т. 31. N 4. С. 444--446
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 431 с
- Sunders G.D., Yia-Chung Chang. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. N 16. P. 9202--9213
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с
- Зимин С.П. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 24. С. 46--50
- Костишко Б.М., Орлов А.М., Емельянова Т.Г. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 19. С. 32--38
- Астрова Е.В., Лебедев А.А., Ременюк А.Д. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 9. С. 1649--1656
- Ookubo N. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. P. 6375--6381
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
