Связь электронных свойств границы раздела фаз с межфазными взаимодействиями в гетероструктурах NbN--GaAs
Беляев А.А.1, Готовы И.2, Венгер Е.Ф.1, Ляпин В.Г.1, Конакова Р.В.1, Миленин В.В.1, Тхорик Ю.А.1, Кашин Г.Н.3
1Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
2Словацкий технический университет, Братислава, Словакия
3Институт химии поверхности АН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Исследовались особенности контактообразования в системе NbN-GaAs при изменении структурно-фазового состояния металлического конденсата. Показано, что роль химического фактора в процессах контактообразования снижается с возрастанием степени структурного совершенства сплава NbN. Обсуждаются причины соответствующих изменений в электронной структуре границы раздела, вызванных фазовым переходом NbN-Nb4N3. До и после отжига в вакууме при T=850oC в течение 10 s измерены оже-спектры и вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур NbN-GaAs.
- Wu X.W., Zhang L.C., Bradley P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 50. N 5. P. 287--289
- Ахинько А.И., Гольдберг Е.Я., Григорьев А.Т. и др. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990. N 1(135). С. 35--37
- Ахинько А.И., Инкин В.Н., Карамышев Е.П. и др. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990. N 5(139). С. 42--45
- Инкин В.Н., Кирпиленко Г.Г., Портнов С.М. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1991. N 4(143). С. 32--35
- Hotovy I., Brcka J., Huran J. // Fizika A. 1995. Vol. 4. N 2. P. 337--342
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук