"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Варисторный эффект в полупроводниковой сегнетокерамике
Павлов А.Н.1, Раевский И.П.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Рассмотрено влияние внешнего поля на величину потенциальных барьеров и рельеф потенциала вблизи заряженных границ раздела кристаллитов в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках. Показана зависимость этого влияния от взаимного направления внешнего поля и поляризованности в объеме сегнетоэлектрика. Показано, что возникновение различного типа нелинейных зависимостей тока от напряжения в поликристаллических сегнетоэлектриках можно объяснить переносом носителей заряда в поле потенциальных барьеров с различным рельефом.
  1. Heywang W., Fenner E. // Siemens-Z. 1967. Bd 41. N 11. P. 878--886
  2. Heywang W. // J. Amer. Ceram. Soc. 1964. Vol. 47. N 10. P. 484--490
  3. Валеев Х.С., Квасков В.Б. Нелинейные металлооксидные полупроводники. М.: Энергоатомиздат, 1983. 160 с
  4. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
  5. Павлов А.Н., Раевский И.П., Малицкая М.А., Сизькова И.А. // ФТТ. 1995. Т. 37. Вып. 5. С. 1523--1530
  6. Лейкина Б.Б., Петухов А.И., Андреев Ю.В. // Неорган. материалы. 1986. Т. 22. N 3. С. 446--449
  7. Al-Allak H.M., Illingsworth J., Brinkman A.W., Woods J. // J. Phys. D. 1989. Vol. 22. P. 1393--1397
  8. Лехцер З.М., Бурсиан Э.В. Сегнетоэлектрики. Л.: ЛГПИ, 1978. С. 89--110
  9. Mallick G.T., Emtage P.R. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. N 6. P. 3088--3094
  10. Павлов А.Н. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 3. С. 579--585

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.