Дефектообразование в фосфиде галлия, выращенном в присутствии кислорода
Сказочкин А.В.1, Бондаренко Г.Г.2, Крутоголов Ю.К.1, Майор В.И.1, Кунакин Ю.И.1, Матяш А.А.1
1Научно-исследовательский институт материалов электронной техники, Калуга, Россия
2Московский государственный институт электроники и математики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней изучено влияние введения кислорода в газовую фазу на образование дефектов в эпитаксимальных слоях GaP. Обсуждены экстремальные зависимости концентрации носителей заряда и ловушки для электронов с энергией Ec-0.24 эВ от потока кислорода.
- Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 4. С. 625--652
- Kovalchik M., Jordan A.S., Read M.H. // J. Electrochem. Soc. 1972. Vol. 119. N 6. P. 756--759
- Dean P.J. // Physika. 1983. Vol. 117--118. Pt. 1. P. 140--145
- Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979. 686 с
- Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю., Алешин В.Д., Кунакин Ю.И. // ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 5. С. 782--787
- Skazochkin A.V., Krutogolov Yu.K., Kunakin Yu.I. // Semicond. Sci. Technol. 1995. Vol. 10. P. 634--638
- Skazochkin A.V., Krutogolov Yu.K., Bondarenko G.G. // J. Adv. Mater. 1995. N 6. P. 380--387
- Шакиров У.А., Журавлев О.Р., Ремеев А.Ш. и др. // ПТЭ. 1987. N 5. C. 250
- Su Z., Farmer J.W. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. N 8. P. 4068--4070
- Stringfellow G.B., Hall H.T., Burmeister R.A. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 7. P. 3006--3011
- Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992. 240 с
- Calleja E., Munoz E., Jimenez B. et al. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. N 12. P. 5295--5301
- Skazochkin A.V., Krutogolov Yu.K., Bondarenko G.G. et al. // III Russian-Chinese Symp. 1995. P. 110
- Kaminski P., Strupinski W., Roszkiewicz K. // J. Cryst. Growth. 1991. Vol. 108. P. 699--709
- Skazochkin A.V., Krutogolov Yu.K., Bondarenko G.G. // III Russian-Chinese Symp. 1995. P. 111
- Krispin P., Maege J. // Phys. St. Sol. (a) 1984. Vol. 84. N 2. P. 573--583
- Masse G., Lawrence M.F., Lacroix J.M. // J. Phys. Chem. Sol. 1988. Vol. 49. N 11. P. 1349--1353
- Boddaert X., Deresmes D., Stievenard D. et al. // J. Appl. Phys. 1989. Vol. 65. N 12. P. 5228--5230
- Matyas M.Jr. // Phys. St. Sol. (a). 1986. Vol. 97. N 1. P. 297--305
- Tell B., Kuijpers F.P.J. // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. N 12. P. 5938--5943
- Hamilton B., Peaker A.R., Wight D.R. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. N 10. P. 6373--6385
- Peaker A.R., Hamilton B. Deep Centers in Semiconductors / Ed. by S.T. Pantelides. New York, 1986. Ch. 5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук