Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение
Гурьянов Г.М.1, Демидов В.Н.1, Корнеева Н.П.1, Петров В.Н.1, Самсоненко Ю.Б.1, Цырлин Г.Э.1
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Описана эффективная и быстродействующая система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение. Программное обеспечение, разработанное для данной системы, включает в себя три пакета программ: для работы в однооконном, четырехоконном и линейном режимах. Приведены примеры использования системы для контроля и исследования процессов роста полупроводниковых соединений A3B5 в методе молекулярно-пучковой эпитаксии. С использованием описанной системы обнаружен эффект периодического расщепления профилей дифракционных рефлексов при росте GaAs (100).
- Herman M.A., Sitter H. Molecular Beam Epitaxy. Fundamentals and Current Status. Berlin: Springer Verlag, 1989. P. 376
- Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J. // J. Cryst. Growth. 1987. Vol. 87. P. 1
- Senichkin A.P., Bugaev A.S., Molchnovsky R.A. // Abstracts 1st Intern. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St.Petersburg, 1993. P. 102
- Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. // Appl. Phys. A. 1983. Vol. 31. P. 1
- Ca C., Wieder H.H. // Rev. Sci. Instr. 1990. Vol. 61. P. 917
- Bolger R., Larson P.K. // Rev. Sci. Instr. 1986. Vol. 57. P. 1363
- Resh J.S., Stroizer J., Jamison K.D., Ignatiev A. // Rev. Sci. Instr. 1990. Vol. 61. P. 771
- Гурьянов Г.М., Леденцов Н.Н., Петров В.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 18. С. 64
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
