Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Исследованы импульсные характеристики n+-p-переходов на основе Hg08Cd02Te. Показано, что при прохождении прямого (обратного) тока форма импульса напряжения на переходе определяется рекомбинацией (генерацией) неравновесных электронов в дырочной области. Увеличение импульса тока вызывает появление электрического поля, которое затягивает электроны в глубь базы, и, вследствие того, что n+-p-переход имеет сложную структуру, изменяется при этом их время жизни.
- Шевцов Э.А., Белкин М.Е. Фотоприемные устройства волоконно-оптических систем передачи. М.: Радио и связь, 1992. 222 с
- Белотелов С.В., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 6. С. 1058--1064
- Spears D.L. // Lasers and Electron. Conf. Proc. Arlando Fla. New York, 1989. P. 113--116
- Андрухив М.Г., Белотелов С.В., Вирт И.С. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 11/12. С. 1863--1866
- Носов Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. 264 с
- Rogalski A., Piotrowski Y. // Prog. Quant. Electr. 1988. Vol. 12. N 2--3. P. 87--289
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук