Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии II. Моделирование процесса создания гетерокомпозиций на основе твердых растворов системы индий--мышьяк--сурьма--висмут
Акчурин Р.Х.1, Комаров Д.В.2
1Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова, Москва, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Проведено моделирование процесса формирования упругонапряженных гетерокомпозиций типа InAs1-x-ySbxBiy/InSb и InAs1-x-ySbxBiy/InSbyBiy методом "капиллярной" ЖФЭ. Выявлены закономерности изменения ширины запрещенной зоны Eg и толщины d эпитаксиальных слоев от условий проведения процесса. Показано, что вследствие резкого возрастания скорости эпитаксиального осаждения с повышением температуры ЖФЭ успешный рост эпитаксиальных слоев докритической толщины возможен лишь до T<550 K. Проанализировано влияния скорости ламинарного потока жидкости в ростовом канале при использовании релаксационного режима и режима непрерывной прокачки на однородность распределения Eg и d в эпитаксиальных гетерокомпозициях. Установлены рациональные сочетания параметров проведения процесса, обеспечивающие достижение значений Eg~0.1 эВ (77 K) в активных слоях при минимальной протяженности варизонных слоев.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 10. С. 16--20
- Акчурин Р.Х., Акимов О.В. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 2. С. 362--369
- Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 7. С. 000
- Акчурин Р.Х. // Физико-химические процессы в микроэлектронике. М.: МИТХТ, 1990. С. 318--342
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Жегалин В.А. // Изв. вузов. Сер. Цветные металлы. 1994. Вып. 7. С. 23--27
- Акчурин Р.Х., Жегалин В.А., Сахарова Т.В. // Изв. РАН. Сер. Неорган. материалы. 1995 (в печати)
- Айтиева Г.Т., Бессолов В.Н., Клименко С.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 8. С. 465--469
- Абдурахманов Ю.Ю., Клименко С.Е., Корсуков В.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. Вып. 12. С 762--765
- Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения AIIIBV (справочник). М.: Металлургия, 1984. 144 с
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ (справочник) / Под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева. М.: Наука, 1979. 339 с
- Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия, 1983. 224 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук