Вышедшие номера
Обратное рассеяние медленных (0-8 эВ) электронов поверхностью кремния
Шпеник О.Б.1, Эрдевди Н.М.1, Попик Т.Ю.1
1Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Описана экспериментальная установка и методика исследования упругого и неупругого обратного (на 180o) рассеяния медленных (0-8 эВ) моноэнергетических электронов поверхностью твердых тел и приводятся первые результаты по отражению электронов образцами чистого монокристаллического кремния с полированной поверхностью (Si), легированного монокристаллического кремния p-типа проводимости с пористой поверхностью (Si-p) и таких же пористых образцов пассивированных H2O и H2O2 (Si-p + H2O и Si-p + H2O2). Впервые в спектрах потерь обнаружена структура, которая обусловлена возбуждением поверхностных плазмонов. В спектрах постоянной остаточной энергии обнаружены особенности, которые соответствуют резонансному возбужденному состоянию молекулярного азота, адсорбированного поверхностью пористого кремния.
  1. Palmer R.E., Rous P.J. // Rev. Mod. Phys. 1992. Vol. 64. N 2. P. 383--440
  2. Sanche L. // J. Phys. B. 1990. Vol. 23. P. 1597--1624
  3. Sanche L. // XVIII ICPEAC. Abstr. Contr. Pap. New York: AIP Press, 1993. P. 381--389
  4. Романюк Н.И., Шпеник О.Б., Манди И.А. // ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 7. С. 138--147
  5. Романюк Н.И., Шпеник О.Б., Папп Ф.Ф. // УФЖ. 1992. Т. 37. N 11. С. 1639--1647
  6. Shpenik O.B., Zavilopulo A.N., Popik T.Yu. // XVIII ICPEAC. Abstr. Contr. Pap. New York: AIP Press, 1993. Vol. 11. P. 759
  7. Shulz G.J. // Rev. Mod. Phys. 1973. Vol. 45. P. 378--423
  8. Свечников С.В., Саченко А.В., Сукач Т.А. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Вып. 27. 1994. С. 3--28
  9. Шпеник О.Б., Романюк Н.И., Чернышова И.В. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 41. Вып. 12. С. 500--502

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.