Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2014, выпуск 7 » Статья стр. 91
<<<>>>
Применение низкобарьерных структур металл-полупроводник-металл для детектирования микроволновых сигналов
Востоков Н.В.1, Королев С.А.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: vostokov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
PDF версия
Предложены новые конструкции чувствительных элементов на основе несимметричных низкобарьерных структур металл-полупроводник-металл, предназначенные для регистрации сигналов сверхвысокочастотного или терагерцового частотных диапазонов. Рассмотрена вертикальная структура с отличающимися высотами барьеров двух переходов металл-полупроводник и планарная структура с отличающимися площадями переходов. Показано, что характеристики чувствительного элемента на основе вертикальной структуры превосходят аналогичные характеристики детекторного низкобарьерного диода Мотта. Планарный чувствительный элемент имеет сравнимые с диодом характеристики по чувствительности, но проще в изготовлении. Рассчитаны характеристики детектора на основе планарной низкобарьерной структуры, включенной в широкополосную антенну. Определены достижимые значения чувствительности в полосе 1 THz.
  1. Dragoman D., Dragoman M. Progress in Quant. Electron. 2004. Vol. 28. N 1. P. 1-66
  2. Sizov F., Rogalski A. Progress in Quant. Electron. 2010. Vol. 34. N 5. P. 261- 348
  3. Su N., Rajavel R., Deelman P., Schulman J.N., Fay P. // IEEE Electron. Device Lett. 2008. Vol. 29. N 6. P. 536-539
  4. Vo V.T., Hu Z. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2006. Vol. 54. N 11. P. 3836- 3842
  5. Kazemi H., Nagy G., Tran L., Grossman E., Brown E.R., Gossard A.C., Boreman G.D., Lail B., Young A.C., Zimmerman J.D. Microwave Symposium IEEE/MTT-S International. 3-8 June 2007. Honolulu. HI. P. 1367-1370
  6. Brown E.R. // Sol. Stat. Electron. 2004. Vol. 48. N 10--11. P. 2051-2053
  7. Ito H., Nakajima F., Ohno T., Furuta T., Nagatsuma T., Ishibashi T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 47. N 8. P. 6256-6261
  8. Semenov A., Cojocari O., Huubers H.-W., Song F., Klushin A., Muuller A.-S. // IEEE Electron Device Lett. 2010. Vol. 31. N 7. P. 674-676
  9. Shashkin V.I., Drjagin Yu.A., Zakamov V.R., Krivov S.V., Kukin L.M., Murel A.V., Chechenin Y.I. // Int. J. Infrared Millimeter Waves. 2007. Vol. 28. N 11. P. 945-952
  10. Шашкин В.И., Востоков Н.В. Труды 22-ой международной конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". 10--14 сентября 2012 г. Севастополь, Украина, С. 599-600
  11. Шашкин В.И., Мурель А.В., Дроздов Ю.Н., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. Вып. 1. С. 57--60
  12. Шашкин В.И., Мурель А.В., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 5. С. 537-542
  13. Cowley A.M., Sorensen H.O. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 1996. Vol. 14. N 12. P. 588--602
  14. Shashkin V.I., Vostokov N.V. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. P. 043702
  15. Радзиховский В.Н., Кузьмин С.Е., Хайкин Б.В., Закамов В.Р., Шашкин В.И. Труды 19-ой Международной конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии". 14--18 сентября 2009 г. Севастополь, Украина, С. 79-80
  16. Lynch J.J., Moyer H.P., Schaffner J.H., Royter Y., Sokolich M., Hughes B., Yoon Y.J., Schulman J.N. // IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2008. Vol. 56. N 7. P. 1592--1600
  17. Dietlein C.D., Luukanen A., Meyer F., Popovic Z., Grossman E.N. 4-th ESA Workshop on Millimetre Wave Technology and Applications. 2006. Espoo, Finland
  18. Шашкин В.И., Мурель А.В. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 5. С. 574-579
  19. Richards P.L. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 1--24
  20. Popovic Z., Grossman E.N. // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2011. Vol. 1. N 1. P. 133-144

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme