Вышедшие номера
Применение низкобарьерных структур металл-полупроводник-металл для детектирования микроволновых сигналов
Востоков Н.В.1, Королев С.А.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: vostokov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Предложены новые конструкции чувствительных элементов на основе несимметричных низкобарьерных структур металл-полупроводник-металл, предназначенные для регистрации сигналов сверхвысокочастотного или терагерцового частотных диапазонов. Рассмотрена вертикальная структура с отличающимися высотами барьеров двух переходов металл-полупроводник и планарная структура с отличающимися площадями переходов. Показано, что характеристики чувствительного элемента на основе вертикальной структуры превосходят аналогичные характеристики детекторного низкобарьерного диода Мотта. Планарный чувствительный элемент имеет сравнимые с диодом характеристики по чувствительности, но проще в изготовлении. Рассчитаны характеристики детектора на основе планарной низкобарьерной структуры, включенной в широкополосную антенну. Определены достижимые значения чувствительности в полосе 1 THz.