Экспериментально исследовано изменение порогового напряжения p-канальных МДП транзисторов от дозы облучения электронами. Создана количественная модель, описывающая накопление заряда в окисле и изменение порогового напряжения для случаев: 1) однородного распределения ловушек по толщине окисла, 2) неоднородного распределения в виде слоя на границе Si-SiO₂, 3) неоднородного распределения в виде двух слоев ловушек на границах Si-SiO₂, Al-SiO₂. Из сравнения результатов эксперимента с расчетом показано, что наилучшее согласие достигается для случая однослойного или двухслойного распределения ловушек. Определены кинетические коэффициенты, описывающие накопление заряда в окисле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.