Исследованы характеристики торцевых InGaAsP/InP светодиодов в зависимости от внутренней эффективности гетероструктуры и геометрического фактора a=L/nD, где L - длина диода в направлении вывода излучения, n и D - показатель преломления и толщина подложки. Показано, что экспериментальные значения яркости и квантового выхода "длинных" диодов с a>a₀(eta_i) превышают теоретические значения, рассчитанные в модели "прямого" вывода излучения без учета эффектов многопроходности в подложке. Наблюдаемые зависимости объяснены влиянием эффектов отражения от контактов и переизлучения на характеристики " длинных торцевых InGaAsP/InP светодиодов. Сделан вывод о возможности повышения эффективности торцевого вывода путем оптимизации размеров излучающего кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.