Теоретически и экспериментально исследованы зависимости квантового выхода и степени поляризации вышедших в вакуум фотоэлектронов от толщины эмигрирующего слоя p-GaAs (100). Определены условия получения максимального критерия качества источников поляризованных электронов фотоэмиссионного типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.