Исследовано изменение контрастно-временных характеристик модулятора света типа халькогенидный стеклообразный полупроводник-жидкий кристалл (ХСП-ЖК) под действием рабочих значений плотностей энергии считывающего импульсного излучения лазера на АИГ : Nd³⁺. Основными причинами изменения характеристик являются нагрев жидкого кристалла благодаря поглощению излучения фоточувствительным слоем и проводящими электродами и фотогенерация носителей заряда в ХСП, приводящая, в частности, к ограничению реверсивности ПВМС на уровне нескольких герц. Характерные времена отклика модулятора не превосходят 1 мс при нагреве и 1 с при фотогенерации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.