"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Инверсия знака фототока в поляриметрических структурах из CdSiAs2 и CdGeP2
Рудь Ю.В., Таиров М.А.
Выставление онлайн: 20 января 1989 г.

Экспериментально исследовано явление инверсии знака фототока в структурах n-p-CdSiAs2 и Сu-n-CdGeP2-Сu в зависимости от напряжения смещения при освещении естественным и линейно поляризованным излучением. Показано, что энергетическое положение точки инверсии знака фототока определяется геометрией освещения структур и контролируется величиной напряжения смещения. Установлен эффект резкого нарастания коэффициента естественного фотоплеохроизма в изученных структурах при обеспечении в них условий инверсии знака фототока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.