Тонкие пленки состава (К, Na)NbO₃ были получены ВЧ катодным распылением, "вписывающимся" в технологию микроэлектроники и интегральной оптики. Монофазные пленки с достаточно четко выраженными сегнетоэлектрическими свойствами (структурные фазовые переходы, диэлектрические аномалии, петли диэлектрического гистерезиса, домены) образовывались в широких интервалах варьирования условий формирования. Впервые зарегистрированы изменения структуры при фазовых переходах в поликристаллических сегнетоэлектрических пленках. Установлено, что отсутствие расщепления рефлексов на рентгеновских дифрактограммах поликристаллических сегнетоэлектрических пленок является следствием формирования своеобразной доменной текстуры из-за действия со стороны подложек механических напряжений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.