1. Развивается модель реконструкции, согласно которой на Si (111)-(2x1) возникают электронные комплексы в виде циклических таммовских вигнеровских цепочек (ТВЦ), содержащих n=6 pi-электронов. Эти ТВЦ подобны ВЦ молекулы бензола, но имеют радиус в 1.69 раз больше. Соответственно уровни энергии ТВЦ лежат в 1.69² раз ниже ранее рассчитанных уровней молекулярных ВЦ. Все предсказываемые уровни ТВЦ n=6 в пределах ошибок измерений совпадают с наблюдаемыми возбуждениями па Si (111)-(2x1). Это позволяет с полной уверенностью утверждать, что развиваемая модель здесь реализуется. На Si (111)-(7x7) возникают ТВЦ n=5, 6, 8, 18. Уровни ТВЦ n=5, 6, 8 близки к наблюдаемым, но малая точность доступных экспериментальных данных не позволяет осуществить детальное отождествление. Уровни ТВЦ n=18 совпадают с наблюдаемыми. 2. Рассчитаны сдвиги уровней ТВЦ n=6 при неполносимметричных (НПС) деформациях остова ТВЦ. Найдено, что уровни первой зоны сдвигаются вверх, т. е. они устойчивы к НПС деформациям. Уровни второй зоны сдвигаются вниз, т. е. они неустойчивы к НПС деформациям. Получено, что связь электронного движения с НПС деформациями является сильной: при достаточной деформации энергетическая щель между уровнями ТВЦ первой и второй зон, равная ~1 эВ, практически исчезает. 3. Объяснены закономерности, ранее установленные эмпирически по рассеянию медленных электронов. Неустойчивость уровней второй зоны к НПС деформациям объясняет наблюдаемое аномально большее сечение возбуждения НПС колебаний решетки при рассеянии электронов с энергией более 2 эВ на Si (111)-(2x1). Наоборот, ввиду устойчивости первой зоны уровней ТВЦ к НПС деформациям их возбуждение при столкновении с медленными электронами может происходить как прямо, так и с поглощением НПС фононов, но не может сопровождаться излучением НПС фононов. Это объясняет наблюдаемую аномальную температурную зависимость сечения рассеяния электронов с энергией 0.5 эВ на Si (111)-(2x1). 4. Объяснены закономерности, ранее установленные эмпирически по оптическому поглощению. Ввиду устойчивости первой зоны уровней к развитию НПС деформаций радиационные переходы между уровнями первой зоны эквидистантных ТВЦ возможны только с поглощением НПС фонона. Это объясняет тот факт, что оптическое поглощение на Si (111)-(2x1) происходит при энергии кванта 0.48 эВ, тогда как возбуждение при электронном ударе происходит при энергии электрона 0.58 эВ. Разница ~0.1 эВ есть энергия поглощаемых НПС фононов. Ввиду неустойчивости второй зоны уровней ТВЦ к НПС деформациям радиационные переходы между зонами происходят с рождением НПС фононов. Полученные результаты используются также для объяснения радиационных свойств молекулы бензола и третьего канала распада в бензоле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.