Построена динамическая теория комптоновского рассеяния (КР) рентгеновских лучей в совершенных монокристаллах, учитывающая когерентное рассеяние как внешнего, так и неупруго рассеянного излучения. Получены общие выражения для спектральной интенсивности когерентного КР в геометриях Брэгга и Лауэ. На основе блоховского формализма рассмотрены парциальные сечения когерентного КР. Обсуждается влияние интерференционного сечения КР и геометрии рассеяния на кривые выхода комптоновских квантов. Показано, что в резко асимметричных схемах дифракции значительно возрастает чувствительность кривых выхода когерентного КР к распределению электронной плотности. Комптоновское рассеяние в условиях дифракции может эффективно использоваться как новый метод анализа электронной структуры кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.