Численно методом Монте-Карло рассчитана кривая Пашена в гелии для E/P до 6·10³ В/м·Па. Показано, что основными процессами образования заряженных частиц в этой области таунсендовского разряда являются эмиссия электронов под действием бомбардировки катода ионами и быстрыми атомами, образовавшимися в разрядном промежутке при перезарядках ионов, а также объемная ионизация газа электронным ударом. Показано, что трехзначность зависимости напряжения зажигания разряда от Pd в левой ветви кривой Пашена для гелия связана с тем, что значение E/P, при котором средняя энергия быстрых атомов соответствует пороговой для кинетического механизма вырывания электронов с поверхности металла, больше E/P, при котором частота ионизации электронным ударом максимальна. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.