Вышедшие номера
Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок
Лебедева Н.М.1, Усикова А.А.1, Евстропов В.В.1, Лебедев М.В.1, Улин В.П.1, Лантратов В.М.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lenatalit@gmail.com
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Исследована корреляция между главным параметром солнечного элемента - эффективностью (кпд) и его темновой вольт-амперной характеристикой. Выведено соотношение, выражающее приращение (уменьшение) эффективности через уменьшение (приращение) тока, измеряемого при заданном напряжении (2.4 V в настоящей работе). На базе полученных зависимостей протестировано 6 методов пассивации боковой поверхности трехпереходных InGaP/GaAs/Ge гетероструктур, выращенных методом металл-органической газофазной эпитаксии, с целью определить их воздействие на изменение темновой вольт-амперной характеристики. Показано, что влияние на кпд различных факторов (постростовых операций, повреждающих излучений и др.) устанавливается путем измерения изменений темновой вольт-амперной характеристики солнечных элементов.