Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: lenatalit@gmail.com
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Исследована корреляция между главным параметром солнечного элемента - эффективностью (кпд) и его темновой вольт-амперной характеристикой. Выведено соотношение, выражающее приращение (уменьшение) эффективности через уменьшение (приращение) тока, измеряемого при заданном напряжении (2.4 V в настоящей работе). На базе полученных зависимостей протестировано 6 методов пассивации боковой поверхности трехпереходных InGaP/GaAs/Ge гетероструктур, выращенных методом металл-органической газофазной эпитаксии, с целью определить их воздействие на изменение темновой вольт-амперной характеристики. Показано, что влияние на кпд различных факторов (постростовых операций, повреждающих излучений и др.) устанавливается путем измерения изменений темновой вольт-амперной характеристики солнечных элементов.
- Kalinovsky V.S., Evstropov V.V., Lantratov V.M., Mintairov M.A. Proc. of the 24th European PV Solar Energy Conf. Hamburg, Germany, 21-25 Sept. 2009. P. 733-739
- Калюжный Н.А., Гудовских А.С., Евстропов В.В., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М. // ФТП. 2010. T. 44. C. 1568-1576
- Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука, 1989. Гл. 1
- Минтаиров M.A., Евстропов B.B., Калюжный H.A., Минтаиров C.A., Тимошина H.X., Шварц М.З., Лантратов B.M. // ФТП. 2012. T. 46. Вып. 8. С. 1074-1081
- Патент РФ N 2354009. Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры. Андреев В.М., Ильинская Н.Д., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Малевская А.В., Минтаиров С.А. 2007
- Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. // Mater. Sci. Engin. 1977. Vol. 44. P. 376
- Берковиц В.Л., Львова Т.В., Улин В.П. // ФТП. 2011. T. 45. C. 1637-1641
- Barycka I., Zubel I. // J. Mater. Sci. 1987. Vol. 22. P. 1299-1304
- Gorelenok A.T., Ilyinskaya N.D., Mokina I.A., Shmidt N.M. In Semiconductor Technology / Ed. by M.E. Levinshtein, M.S. Shur. John Wiley \& Sons inc., 1997. Ch. 7. P. 195-210
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
