"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge2Sb2Te5 при использовании измерительной цепи с источником тока
Фефелов С.А., Казакова Л.П., Козюхин С.А., Цэндин К.Д., Арсова Д., Памукчиева В.1
1Институт физики твердого тела БАН, София, Болгария
Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Сравнены традиционно используемая для исследования электрических свойств стеклообразных полупроводников измерительная цепь с генератором напряжения и альтернативный вариант, использующий генератор тока. Использование генератора тока позволило получить результаты, более полно отражающие взаимосвязь между эффектом образования памяти и изменениями электрических параметров. Выделен новый электрический параметр --- Uhold (напряжение поддержки), ранее не описанный в литературе. Установлена связь Uhold с процессом формирования памяти при фазовом переходе. Обнаружен эффект возникновения колебаний в режиме ограничения тока канала проводимости в пленке.
  1. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. // Радиотехника и электроника. 1963. Т. 8. С. 2097--2098
  2. Pearson A.D. // Techn. Pap. VI Int. Congress of Glass. Washington, 1962. P. 357--371
  3. Ovshinsky S.R. // Phys. Rev. Lett. 1968. Vol. 21. N 20. P. 1450--1453
  4. Лебедев Э.А., Козюхин С.А., Константинова Н.Н., Казакова Л.П. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 10. С. 1383--1386
  5. Фефелов С.А., Казакова Л.П., Яковлев С.А., Козюхин С.А., Цэндин К.Д. // Тр. междунар. симпозиума МФГФП-1 "Физика межфазных границ и фазовые переходы". Ростов-на-Дону: Изд-во ФГОУ ВПО ЮФУ, 2011. C. 155--157
  6. Фефелов С.А., Казакова Л.П., Козюхин С.А., Цэндин К.Д., Арсова Д., Памукчиева В., Петков К. // Тр. междунар. симпозиума (LDS-3) "Физика низкоразмерных систем". Ростов-на-Дону: Изд-во ФГОУ ВПО ЮФУ, 2012. С. 120--123
  7. Nardone M., Karpov V.G., Karpov I.V. // J. Appl. Phys. 2010. Vol.107. N 054 519. P. 107--115
  8. Kozyukhin S., Voronkov E. // Phys. Stat. Sol. C. 2010. Vol. 7. N 3--4. P. 865--868
  9. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. СПб.: Наука, 1996. 487 с
  10. Tsendin Konstantin D. // Phys. Stat. Sol. 2012.Vol. B. 249. N 10. P.1962--1965
  11. Богословский Н.А., Цэндин К.Д. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 5. С.577--608
  12. Bogoslovskiy N.A., Tsendin K.D. // J. Opt. Adv. Mat. 2011. Vol. 11--12. P. 1423--1428
  13. Tsendin K.D., Bogoslovskiy N.A. // J. Opt. Adv. Mat. 2011. Vol. 11--12. P. 1429--1432
  14. Almasov N., Bogoslovskiy N., Korobova N., Kozyukhin S., Fefelov S., Kazakova L., Jakovlev S., Tsendin K., Guseinov N. // J. Non-Crystal.Sol. 2012. Vol. 358. P. 3299--3303

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.