Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно ~6.5 kOmega и ~6.1 kOmega. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной ~1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Время жизни кластеров ~10^-9 s.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.