Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Компьютерное изучение устойчивости пленок алюминия, нагреваемых на листе графена

Галашев А.Е.¹

¹Институт промышленной экологии УрО РАН, Екатеринбург, Россия Institute of Industrial Ecology, Ural Branch Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Institute of Industrial Ecology, Ural Branch Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Email: galashev@ecko.uran.ru

Поступила в редакцию: 14 мая 2013 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом молекулярной динамики исследовано поведение односторонней и двухсторонней моноатомных пленок алюминия на графене при нагревании от 300 до 3300 K. Атомы одностороннего покрытия сохраняются на графене до 3300 K, тогда как атомы двухстороннего покрытия покидают графен уже при 1800 K, что при дальнейшем повышении температуры приводит к увеличению горизонтальной и вертикальной составляющих коэффициента самодиффузии. Наиболее значительными в металлических пленках оказываются напряжения, создаваемые силами вертикального направления, которые в основном рассасываются к температуре 2300 K. Напряжения в графене, самые большие из которых сосредоточены в зоне формирования металлической пленки, значительно уменьшаются с ростом температуры.

Daniel C., Mucklich F. // Appl. Surf. Sci. 2005. Vol. 242. P. 140--146
Zakharchenko K.V., Fasolino A., Los J.H., Katsnelson M.I. // J. Phys.: Condens. Matter. 2011. Vol. 23. N 20. P. 202 202
Geim A.K., Novoselov K.S. // Nature Mater. 2007. Vol. 6. N 3. P. 183--191
Balandin A.A., Ghosh S., Bao W., Calizo I., Teweldebrhan D., Miao F., Lau C.N. // Nano Lett. 2008. Vol. 8. N 3. P. 902--907
Seol J.H., Jo I., Moore A.L., Lindsay L., Aitken Z.H., Pettes M.T., Li X., Yao Z., Huang R., Broido D., Mingo N., Ruoff R.S., Shi L. // Sciense. 2010. Vol. 328. N 5975. P. 213--216
Chanchani R., Hall P.M. // IEEE Compon., Hybrids, Manufact. Technol. 1988. Vol. 11. N 3. P. 427--432
Lee S.H., Park M., Yoh J.J., Song H., Jang E.Y., Kim Y.H., Kang S., Yoo Y.S. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. N 24. P. 241 909
Wang L., Travis J.J., Cavanagh A.S., Liu X., Koenig S.P., Huang P.Y., George S.M., Bunch J.S. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. N 7. P. 3706--3710
Nam Y., Lindvall N., Sun J., Park Y.W., Yurgens A. // Carbon. 2012. Vol. 50. N 5. P. 1987--1992
Hanaoka Y., Hinode K., Takeda K., Kodama D. // Mater. Trans. 2002. Vol. 43. N 7. P. 1621--1623
Cheong W.C.D., Zhang L.C. // Nanotechnology 2000. Vol. 11. P. 173--178
Kim O. // Mol. Simul. 2005. Vol. 31. P. 115--121
Morse P.M. // Phys. Rev. 1929. Vol. 34. N 1. P. 57--64
Abell G.C. // Phys. Rev. B. 1985. Vol. 31. N 10. P. 6184--6196
Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. N 12. P. 6991--6999
Tersoff J. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. N 25. P. 2879--2882
Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. N 8. P. 5566--5568
Stuart S.J., Tutein A.V., Harrison J.A. // J. Chem. Phys. 2000. Vol. 112. N 14. P. 6472--6486
Rafii-Tabar H. // Phys. Rep.: 2000. Vol. 325. N 6. P. 239--310
Fang T.-H., Wu J.-H. // Comp. Mater. Sci. 2008. Vol. 43. P. 785--790
Lee W., Jang S., Kim M.J., Myoung J.-M. // Nanotechnology 2008. Vol. 19. N 28. P. 285 701
Berendsen H.J.C., Postma J.P.M., van Gunsteren W.F., DiNola A., Haak J.R. // J. Chem. Phys. 1984. Vol. 81. N 8. P. 3684--3690
Норман Г.Э., Стегайлов В.В. // ЖЭТФ. 2001. Т. 119. N 5. С. 1011--1020
Kuksin A.Y., Morozov I.V., Norman G.E., Stegailov V.V., Valuev I.A. // Mol. Simul. 2005. Vol. 31. N 14--15. P. 1005--1017
Cole M.W., Cresp V.H., Dresselhaus M.S. // J. Phys.: Condens. Mater. 2010. Vol. 22. P. 33 420
Sondheimer E.H. // Adv. Phys. 2001. Vol. 50. N 6. P. 499--537
Максимов Е.Г., Саврасов Д.Ю., Саврасов С.Ю. // УФН. 1997. Т. 167. N 4. С. 353--376
Reicha F.M., El Hiti M.A., Barna P.B. // J. Mater. Sci. 1991. Vol. 26. N 8. P. 2007--2014
Давыдов С.Ю. // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 4. С. 821--827
White G.K., Collocott S.J. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1984. Vol. 13. N 4. P. 1251--1257

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель