Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Захаров Н.Д., Королев С.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Обсужден новый подход к анализу рентгенодифракционных спектров многослойных структур. Особенностью подхода является использование информации о временах роста отдельных слоев. При этом по сравнению с обычной процедурой анализа уменьшается число варьируемых параметров. Повышаются стабильность и скорость сходимости процедуры подгонки вычисленного спектра к экспериментальному даже в случае большого числа слоев и малоинформативного эксперимента. Подход реализован за счет наложения связей на параметры модели при расчете спектра в программе Bruker DIFFRAC.Leptos. На примере многослойной SiGe/Si-структуры проведено сравнение нового подхода с обычной процедурой. Корректность нового подхода подтверждена сравнением с данными вторично-ионной масс-спектрометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Обсуждены преимущества и ограничения предлагаемого метода.
- Fewster P.F. X-Ray scattering from semiconductors. London: Imperial College Press, 2000. 287 p
- Diffrac. Leptos 7. User Manual. Karlsruhe: Bruker AXS GmbH, 2009
- Дроздов Ю.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Юнин П.А. // Поверхность. РСНИ. 2012. N 6. С. 36
- Herman M.A., Sitter H. Molecular beam epitaxy. 2nd Edition. Berlin--NY: Springer-Verlag, 1996. 453 p
- Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В. // Поверхность. РСНИ. 2011. N 6. С. 93
- Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. // Поверхность. РСНИ. 2012. N 7. С. 26
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.