Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии
Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б., Богинская И.А., Гордеев Е.Г., Егорова Е.В., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Сурнина М.А.1
1Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Исследованы условия первого этапа формирования гетероструктур InAs/GaAs с массивами квантовых точек капельным методом. Проанализирован ряд факторов, влияющих на геометрические размеры и плотность массива наноразмерных индиевых капель, осаждаемых на подложку GaAs (100) в результате пиролиза триметилиндия, проведены экспериментальные исследования возможности использования этих факторов в условиях МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ). С целью уточнения температурной зависимости скорости испарения In проведен вычислительный эксперимент с учетом условий МОСГЭ, приближенных к реальным. Произведена расчетная оценка предельного изменения состава капель In при высокотемпературном контакте с подложкой, а также оценены толщина и состав кристаллизующегося твердого раствора в системе In-Ga-As. Показана существенная роль кристаллохимического строения поверхности подложки и технологических условий процесса осаждения на размеры и плотность массива осаждаемых капель.
- Sears K., Mokkapati S., Buda M. et al. // Proc. SPIE. 2006. Vol. 6415. P. 641 506
- Chung T., Walter G., Holonyak N., jr. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 53 510-53 513
- Bietti S. et al. // J. Phys: Conf. Ser. 2010. Vol. 245. P. 2078
- Deb P., Bhattacharyya A., Ghosh S.K., Ray R., Lahiri A. // Appl Phys Lett. 2011. Vol. 98. N 10. Р. 103 702-103 703
- Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2000. Vol. 583. P. 23
- Kim J.S., Koguchi N. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 24. P. 5893
- Lee J.H. et al. // Nanotechnology. 2009. Vol. 20. P. 5602
- Wang Z.M., Kim E.S., Kim N.Y. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2010. Vol. 5. P. 308-314
- Wang Z.M., Liang B., Sablon K.A. et al. // Small. 2007. Vol. 3. N 2. P. 235
- Alonso-Gonzalez P., Alen B., Faster D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 163 104-1
- Sablon K.A., Lee H.J., Wang Z.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 203 106
- Zhao C., Chen Y.H., Hu B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 063 122
- Tong C.Z., Yoon S.F. // Nanotechnology. 2008. Vol. 19. P. 365 604
- Lee J.H., Wang Z.M., Kim E.S. et al. // Nanoscale Res. Lett. 2010. Vol. 5. P. 308
- Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Панин А.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 1. С. 10-15
- Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Ладугин М.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 15. С. 82-88
- Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Сурнина М. А. // Материалы электронной техники. Известия вузов. 2011. Вып. 3. С. 21-26
- Stringfellow G.B. Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice. London: Acad. Press., 1999. Р. 228
- Ortiz J.V., Cioslowski J. et al. // Gaussian Inc.: Wallingford CT, 2009
- Stewart J.J.P. // J. Mol. Model. 2007. Vol. 13. P. 1173-1213
- Несмеянов Ан.Н. Давление пара химических элементов. М.: Изд-во АН СССР. 1961. 396 с
- Gaussian 09. Gaussian, Inc.: Wallingford CT, 2009
- Perry R.H., Green D.W. // Perry's Chemical Engineering Handbook. Mc Graw-Hill, 1997. P. 2581
- COMSOL, Inc.http://www.femlab.com
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук