Вышедшие номера
Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии
Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б., Богинская И.А., Гордеев Е.Г., Егорова Е.В., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Сурнина М.А.1
1Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Исследованы условия первого этапа формирования гетероструктур InAs/GaAs с массивами квантовых точек капельным методом. Проанализирован ряд факторов, влияющих на геометрические размеры и плотность массива наноразмерных индиевых капель, осаждаемых на подложку GaAs (100) в результате пиролиза триметилиндия, проведены экспериментальные исследования возможности использования этих факторов в условиях МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ). С целью уточнения температурной зависимости скорости испарения In проведен вычислительный эксперимент с учетом условий МОСГЭ, приближенных к реальным. Произведена расчетная оценка предельного изменения состава капель In при высокотемпературном контакте с подложкой, а также оценены толщина и состав кристаллизующегося твердого раствора в системе In-Ga-As. Показана существенная роль кристаллохимического строения поверхности подложки и технологических условий процесса осаждения на размеры и плотность массива осаждаемых капель.