Исследованы физико-химические процессы в барьерных структурах на основе Pt-GaAs при термических и радиационных воздействиях. Показано, что деградация характеристик диодов Шоттки при термообработке связана с межфазными взаимодействиями на границе Pt-GaAs, зависящими от присутствия на ней атомов буферного металла, влияющего на строение и фазовый состав межфазной границы. Обработка gamma-квантами обеспечивает химическую гомогенизацию переходной области контакта и уменьшает ее размеры, следствием чего является улучшение рекомбинационных свойств и электрических параметров диодов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.