Анализируются недостатки одной из методик экспериментального определения диффузионной длины носителей заряда в полупроводниках. В качестве альтернативного варианта предлагается использовать метод постоянного фототока в области, в которой не выполняется условие объемного возбуждения образцов. Выведены соотношения, связывающие спектрально зависимую величину потока фотонов с оптическим коэффициентом поглощения и диффузионной длиной носителей заряда при условии постоянного фототока в структурах с нижним планарным расположением металлических электродов. Приведены полученные с использованием новой методики определения диффузионной длины результаты исследования образцов аморфного гидрогенизированного кремния, приготовленных методом ВЧ распыления при различных значениях температуры подложки. Обнаружено уменьшение диффузионной длины носителей заряда в пленках a-Si : H с большим содержанием SiH₂ комплексов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.