Предложена математическая модель нестационарного процесса отклика болометрической структуры, состоящей из выращенной на подложке пленки высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП), на облучение импульсным излучением лазера. Аналитически определена форма отклика в зависимости от амплитуды, длительности и формы импульса лазера. Доказано соответствие результатов, полученных на основе предложенной модели, экспериментальным данным работы [1]. Ранее несколько отличающаяся от предложенной в настоящей работе модель отклика болометрической структуры на основе ВТСП на импульсное излучение исследовалась в работе [2] при помощи численных методов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.