Рассмотрены особенности стационарного ВЧ разряда, обеспечивающего синтез и кристаллизацию тонких пленок сложного оксида в процессе их непосредственного осаждения, при изменении внешних энергетических параметров. Методом оптической спектроскопии показано, что ВЧ распыление сложных оксидов Bi-Sr-Ca-Cu-O и Y-Ba-Cu-O происходит на атомарном уровне без образования на поверхности измененного по составу слоя. Установлено влияние положения подложки на элементарные процессы в газовом разряде, приводящие к возбужденному состоянию распыленных атомов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.