Рассмотрена математическая модель ранее опубликованного метода релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса. Этот метод позволяет выращивать тонкие (~100 Angstrem) слои AC на подложке ABC при любой температуре эпитаксии и неограниченном времени контакта раствора-расплава A-C с подложкой ABC. Рост тонкого слоя AC из раствора-расплава A-C осуществлялся в зазоре, образованном основной ABC и инвертирующей AC подложками. В основу математической модели положен учет существенного отличия механизмов начальных стадий роста слоев на основной и инвертирующей подложках и взаимное влияние этих подложек в процессе релаксации пересыщения раствора-расплава. Модель проверялась на примере выращивания слоев GaAs на основной подложке Ga_0.6Al_0.4As и инвертирующей GaAs из раствора-расплава Ga-As. Предлагаемая модель хорошо согласуется с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.