Исследовано влияние функции распределения вторичных электронов, образующихся при торможении пучка электронов и протонов, являющихся продуктами ³He(n,p)³T ядерной реакции, на скорости накачки рабочих лазерных уровней He-Cd смеси. Показано, что скорость образования иона CdII (4d⁹5s²²D_3/2,5/2) прямым электронным ударом не зависит от типа источника накачки, а определяется величиной удельного энерговклада в газовую смесь. На основе рассчитанных скоростей возбуждения проведено моделирование излучения He-Cd смеси при электронной и ионной накачках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.