На основе предлагаемою механизма ориентации и переориентации дипольных молекул жидкого кристалла в системе полупроводник-жидкий кристалл-металл проводится расчет распределения концентрации носителей тока, напряженности электрического поля и потенциала по толщине слоя жидкого кристалла, находятся углы отклонения директора от пленарной ориентации в процессе спонтанного ориентационного перехода в отсутствие внешнего электрического поля, обсуждаются вопросы, связанные с минимизацией энергии сцепления молекул жидкого кристалла с твердой подложкой, проводится рассмотрение компонент поверхностной поляризации слоя жидкого кристалла на границе с твердой стенкой. Полученные в работе результаты могут быть использованы при выборе оптимальных параметров и проведении практических расчетов электрооптических транспарантов на основе структур полупроводник-жидкий кристалл-металл.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.