"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электронно-микроскопические исследования ЖФЭ структур InGaAsP/InGaP/GaAs с тонкими (<10 нм) слоями
Берт Н.А., Гарбузов Д.3., Журавкевич Е.В., Конников С.Г., Косогов А.О., Мусихин Ю.Г.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

Исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) двойные гетероструктуры InGaAsP/InGaP с тонкими (<10 нм) слоями четверного твердого раствора, полученными осаждением на движущуюся подложку в условиях преднамеренного ограничения конвективных течений, инициируемых в растворе-расплаве. Электронно-микроскопические исследования проводились методами темного поля (ТП) в рефлексе 002 и высокого разрешения (ВР). Рассмотрены вопросы возникновения контраста на ТП микроизображениях и показано, что денситометрироваиие негативов таких изображений позволяет получать детальные сведения о толщинах ультратонких слоев, ширине переходных областей между отдельными слоями. Результаты исследований показали, что преднамеренное подавление конвективных потоков, инициируемых в расплаве перемещением подложки, позволяет выращивать на подложках GaAs (111) слои InxGa1-xAsyP1-y толщиной до 3 нм. При этом структуры обладали хорошим кристаллическим совершенством и планарностью, а протяженность переходных областей на границах раздела InxGa1-xAsyP1-y/In0.5Ga0.5P и In0.5Ga0.5P/GaAs не превышала 1 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.