"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Искусственное пироэлектричество в арсениде галлия
Поплавко Ю.М., Переверзева Л.П.
Выставление онлайн: 20 января 1992 г.

В полупроводниках-пьезоэлектриках со структурой сфалерита (типа AIIIB V) в пластинках специальных срезов при анизотропном ограничении термических деформаций возникает термопьезоэлектричество --- эффект, аналогичный пироэлектрическому с коэффициентом для GaAs gamma111=1.5 мкКл/м2· K и вольтовой чувствительностью ~0.02 В·м2/Дж (как в пироэлектрической керамике). Пластинка арсенида галлия толщиной 100 мкм при изменении температуры на 1 K изменяет электрический потенциал на ~2 В, что могло бы представить интерес для интегральных многоэлементных планарных тепловых детекторов инфракрасного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.