Рассмотрены возможные механизмы разрушения кремниевых структур с диэлектрической оболочкой при импульсных электрических воздействиях вдоль границы Si-SiO₂. Показано, что в условиях быстрого джоулевого разогрева основной причиной разрушения является перегрев жидкой фазы полупроводника. Характер выброса парокапельной смеси и возникновение при этом ударных волн связаны с тем, является поверхностным или объемным вскипание кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.