Исследованы электронные свойства области пространственного заряда в широко зонном полупроводнике с слоем узкозонного полупроводника толщиной 10-150 Angstrem - с квантовой ямой (КЯ). Рассчитана модель КЯ конечной глубины и ширины с "деформированным дном" при воздействии электрического поля. Показано, что по характерным напряжениям U на экспериментальных зависимостях C^-2 и dC^-2/dU от U может быть определен ряд параметров КЯ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.