Термогенерационный пробой канала двойной инжекции в полупроводниковой структуре
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.
Предложена аналитическая самосогласованная модель дрейфового и термогенерационного механизмов накопления плазмы в условиях нестационарного джоулева разогрева канал двойной инжекции с учетом рекомбинации Шокли-Рида. Показано, что из-за сильной неоднородности тепловыделения вдоль направления тока развитие явлений, связанных с термогенерационным пробоем, приобретает характер волны повышенной концентрации и температуры, распространяющейся от катода к аноду. Найдены динамические распределения концентрации плазмы, температуры и электрического поля. Рассчитано влияние эффекта на переходные характеристики напряжения и получен критерий тепловой перегрузки диодных и тиристорных структур.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.