Проведен расчет эволюции электрического поля в высокоомном полупроводнике в условиях локального фотовозбуждения однородно поглощаемым светом (засветка кристалла узкой одиночной полоской). Полученное двумерное распределение поля пересчитано в распределение интенсивности света в интерференционной картине, возникающей при просвечивании кристалла в перпендикулярном полю направлении нефотоактивным поляризованным светом. Результаты расчета сопоставлены с интерференционной картиной, экспериментально полученной на кристалле Bi₁₂SiO₂₀. Рассчитана и сопоставлена с измерениями релаксация фототока при локальном возбуждении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.