Полный расчет МДП структуры с квазиодномерным электронным газом в широком диапазоне температур возможен лишь в результате решения специфической задачи двумерного нелинейного экранирования. В области очень слабого обогащения возможен приближенншй расчет распределения потенциала в структуре, так как вклады неподвижных зарядов ионизованных доноров и подвижных зарядов носителей удается разделить. На основе проведенных в больцмановской статистике расчетов и при использовании ряда допущений проанализированы структуры на высоколегированных подложках (10¹⁷ см^-3) с металлургической шириной канала 0.5-0.6 мкм. Сделан вывод о возможности создания в режиме слабого обогащения сверхузких квазиодномерных каналов и для делокализованных носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.