Дается теоретическое описание образования автоионизационных состояний в процессах перезарядки с возбуждением быстрых ионов на атомах. Обсуждаются вычисленные в различных приближениях полные сечения возбуждения низших АИС быстрых атомов гелия, образующихся в результате столкновений ³He⁺+He-> ³He^**+He⁺ области энергий сталкивающихся частиц от 100 до 500 кэВ. Показано, что заселение автоионизационных уровней при больших энергиях столкновения происходит в основном в результате взаимодействия между собой электронов мишени и налетающего иона, а взаимодействие совершающих переходы электронов с ионом-остатком атома мишени оказывается существенным в области промежуточных энергий столкновения и приводит к заметному росту сечений образования АИС. Отмечается влияние угловой анизотропии эжекции электронов на сечения образования АИС, учет которой приводит к систематическому их уменьшению.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.