Методами электронной оже-спектроскопии и термоэмиссии изучено взаимодействие атомов кремния с гранью (1010) рения (монокристалл и текстурированная лента) в широкой области температур 300-2000 K. При T < 700 K на поверхности металла строится многослойная пленка кремния. При T=800-1100 K идет активное образование силицидов, которое зависит от типа подложки (монокристалл или текстурированная лента). В интервале T= 1250- 1500 K все упавшие на поверхность атомы Si прилипают к ней вплоть до концентрации N_Si=1.3· 10¹⁵ ат./см² (theta=1). После ее достижения все вновь поступившие атомы Si растворяются в объеме металла; объемные силициды при этих T разрушаются. Получающееся покрытие, термостабильное в указанной области температур, имеет стехиометрию ReSi и названо авторами поверхностным силицидом. При T=1500-2000 K кремнии удаляется с поверхности термодесорбцией. Определена энергия активации десорбции атомов Si с поверхности рения: при изменении покрытия от 0 до 1 она изменяется от 5.8 до 4.2 эВ. Растворенные в объеме атомы Si удаляются путем термодесорбции при T > 1500 K через стадию поверхностного силицида.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.