Вышедшие номера
Математическое моделирование процессов в проточных газоэпитаксиальных реакторах. II. Управление составом эпитаксиальных слоев AlGaAs в переходных областях
Жмакин А.И., Макаров Ю.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Рассмотрено математическое моделирование процессов выращивания структур GaAs-AlxGa1-xAs с использованием металлоорганических соединений в диффузионном режиме. Рассмотрены как прямая, так и обратная задачи, т. е. определение временных зависимостей концентраций реагентов на входе в реактор, обеспечивающих получение структур с заданным изменением состава в переходных областях. Приведены примеры расчетов выращивания слоев с линейным и параболическим профилями состава.