Исследовались структуры, в которых жидкий кристалл контактировал непосредственно с поверхностью кремния, что давало возможность на границе их раздела формировать двойной электрический слой. Прямой контакт для данной структуры позволил получить новые экспериментальные зависимости пороговой интенсивности света, которая вызывает возникновение в слое жидкого кристалла состояния, рассеивающего свет (эффект ДРС), от величины запирающего напряжения и толщины слоя жидкого кристалла, а также зависимость величины фототока от интенсивности падающего на структуру света для структур с различными толщинами слоев жидкого кристалла и вольт-амперную характеристику. Показано, что чем выше запирающее напряжение и чем больше толщина слоя жидкого кристалла, тем более слабые световые потоки способна записывать структура.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.