Изучены свойства автосолитонов, образующихся в полупроводниковой и газовой плазме в виде уединенных сильнонеравновесных областей. С помощью численного моделирования показано, что в полупроводниках и газовой плазме, кроме автосолитонов (АС), в виде простых уединенных состояний можно возбудить АС сложного вида, как зеркально-симметричные, так и несимметричные. Последние содержат несколько областей - страт высокого либо низкого значения температуры или концентрации горячих носителей, имеющих разную ширину и находящихся на различных расстояниях друг от друга. Изучена устойчивость и кинетика образования АС сложной формы в однородной устойчивой электронно-дырочной плазме. Проанализирована эволюция сложных АС при изменении уровня разогрева плазмы и выяснено, что она существенно отличается от картины эволюции простого АС. Прослежена кинетика скачкообразных прекращений одного сложного АС в качественно иной АС при критических значениях уровня разогрева плазмы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.