Проведена оптимизация параметров направленных ответвителей на основе полосковых оптических волноводов, сформированных на базовой многослойной эпитаксиальной волноводной структуре на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V, таких как GaAs и твердые растворы GaAs_1-xP_x, для интегрально-оптических переключателей и коммутаторов для световодных систем связи. Определены оптимальные параметры (толщина и ширина) полоскового волновода, расстояние между полосковыми волноводами и состав и толщина слоев базовой волноводной структуры, обеспечивающие заданный уровень перекрестной помехи, минимальное управляющее напряжение переключателя и эффективную торцевую стыковку полоскового волновода с одномодовыми волоконными световодами. Показано, что на основе рассматриваемых полосковых оптических волноводов могут быть созданы переключатели 2x 2 канала с уровнем перекрестных помех ниже -30 дБ на длине волны 1.3 мкм и поляризационно нечувствительные направленные ответвители.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.