Идентификация гексагональной фазы в эпитаксиальной системе GaP/Zn(Mg)S
Кютт Р.Н.1, Улин В.П.1, Дышеков А.А.1, Хапачев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Методом газофазной эпитаксии на гранях (1010), (1120), (1230) подложки Zn(Mg)S выращены пленки GaP. Рентгенодифракционным методом проведена оценка структурного совершенства и уровня релаксации напряжений в системе и установлено наличие гексагональной фазы в эпитаксиальной пленке GaP. Обсуждаются возможности определения параметров решетки гексагональной фазы в аналогичных системах в отсутствие релаксации напряжений.
- Конников С.Г., Улин В.П., Шайович Я.Л. Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов. А.С. N 1730218 от 03.01.1992
- Кютт Р.Н., Сорокин Л.М., Аргунова Т.С., Рувимов С.С. ФТТ. 1994. T. 36. Вып. 9. С. 2700--2714
- Шаскольская М.П. Кристаллография. М., 1976. 391 с
- Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Кристаллография. 1989. Т. 34. Вып. 3. С. 776--800
- Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. Crystallography Rev. 1993. Vol. 3. N 3. P. 257--328
- Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Металлофизика. 1987. Т. 9. N 4. С. 64--68
- Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Металлофизика. 1986. Т. 8. N 6. C. 15--22
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
