Вышедшие номера
Идентификация гексагональной фазы в эпитаксиальной системе GaP/Zn(Mg)S
Кютт Р.Н.1, Улин В.П.1, Дышеков А.А.1, Хапачев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Методом газофазной эпитаксии на гранях (1010), (1120), (1230) подложки Zn(Mg)S выращены пленки GaP. Рентгенодифракционным методом проведена оценка структурного совершенства и уровня релаксации напряжений в системе и установлено наличие гексагональной фазы в эпитаксиальной пленке GaP. Обсуждаются возможности определения параметров решетки гексагональной фазы в аналогичных системах в отсутствие релаксации напряжений.