О влиянии температуры на высоту барьера контакта металл--полупроводник при его формировании
Ушаков Н.М.1, Гельбух С.С.1, Петросян В.И.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.
- Ushakov N.M., Petrosyan V.I., Solodky A.N. et al. J. Adv. Ski. (Japan) 1991. Vol. 3. N 3. P. 145
- Bolmont D., Chen P., Mercier V. et al. Physica. 1983. Vol. 117--118. P. 816
- Дворянкина Г.Г., Яссен М.Л., Дворянкин В.Ф. и др. Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. N 1. С. 89
- Lu Z.H., Lagarde C., Saher E. et al. J. Vac. Sci. Tehnol. 1989. Vol. 7. N 3. P. 646
- Yonichi Kuriyama, Shin-ichi Ohfuji. J. Appl. Phys. 1989. Vol. 66. N 6. P. 2446
- Tabe M. Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 45. N 20. P. 1073--1075
- Chang C.C. J. Surf. Sci. 1975. N 48. P. 9
- Гельбух С.С., Джумалиев А.С., Ушаков Н.М. и др. Обзоры по электронной технике. Сер. 7. М., 1992. Вып. 4. 61 с
- Freouf J.L. Surf. Sci. 1983. Vol. 132. N 1/3. P. 233
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук