Исследованы электропроводность, захват и электрический пробой структур металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) с нитридом кремния, синтезированным при разных температурах с модифицированным подслоем SiO_xN_y. Показано, что в пленках Si₃N₄, полученных при пониженной температуре синтеза T _sint, наблюдается уменьшение глубины залегания кулоновских центров и уменьшение предэкспоненциального множителя в уравнении Пула-Френкеля, а также появление на вольт-амперной характеристике (ВАХ) участка типа I~ U². По кинетике накопления заряда определено значение характеристического поля в уравнении Фаулера-Нордгейма E₀=1.4·10⁸В/см для барьера Si-модифицированный подслой. Установлено, что при пробое МНОП структур в динамическом режиме испытаний с увеличением T _sint с 660 до 870^oC напряженность электрического поля пробоя E _br возрастает с 7.0·10⁶ до 1.1·10⁷ В/см. Показано, что можно выделить два участка как на зависимости времени запаздывания пробоя от поля tau _br(E), так и на зависимости E _br от скорости роста напряжения. Для интерпретации результатов предложена модель, учитывающая роль объемных зарядов в развитии процесса пробоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.