Исследование кремниевых структур методом совмещенной фотоакустической и фотоэлектрической микроскопии
Бурбело Р.М.1, Гуляев А.Л.1, Кузьмич А.Г.1, Кучеров И.Я.1
1Киевский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Методом ФА микроскопии исследованы эпитаксиальные кремниевые структуры с различным типом проводимости, а также локальные области модификации поверхности кремниевых пластин в результате ионной имплантации. Показана возможность визуализации целого ряда дефектов в таких структурах, связанных как с условиями подготовки кристалла-подложки, так и с проведением технологических операций наращивания и имплантирования. Представлены результаты сравнительных исследований с использованием рентгеновских топограмм, электронной и оптической микроскопии, а также фотоэлектрической микроскопии. Приводятся сравнительные данные, позволяющие оценить чувствительность методов ФА и ФЭ микроскопии при исследовании имплантированных образцов p-кремния.
- Rosencwaig A. Sol. St. Technol. 1982. Vol. 25. N 3. P. 91--97. Subsurface Imaging III--V Materials. Techical. Report. California (USA), 1983
- Photoacoustic and Thermal-Wave Phenomena in Semiconductors / Ed. A. Mandelis. North-Holland, 1987
- Busse G. Physical Acoustics / Eds. W.P. Mason \& R.N. Thurston. New York: Academic Press, 1988. Vol. 13. P. 403--478
- Photoacoustic and Photothermal Phenomena III / Ed. D. Bicanic. Springer Series in Optical Sciencies. Vol. 69. Berlin; Heidel-Berg: Springer-Verlag, 1992
- Bulakh G.I., Burbelo R.M., Gulyaev A.L., Kucherov I.Ya. Proc. of the 20^ th IC Physics of Semiconductors. World Sci. Publ. Co. Ltd., 1990. Vol. 3. P. 2029--2031
- Булах Г.И., Бурбело Р.М., Гуляев А.Л., Кучеров И.Я. ФТП. 1990. Т. 24. C. 926--928
- Bulakh G.I., Burbelo R.M., Kucherov I.Ya., Kuzmich A.G. Proc. of the 6 th IC Acoustoelectronic. Varna, 1993. P. 212--214
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук