Вышедшие номера
Экспериментальное исследование электрофизических особенностей сверхпроводящего геликоида
Ковалев И.А.1, Круглов С.Л.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Исследовались электрофизические особенности принципиально новой конструкции магнита - сверхпроводящего геликоида. В сверхпроводящем геликоиде лабораторного масштаба экспериментально исследовались радиальное распределение магнитного поля, криостатическая (стационарная) и динамическая (нестационарная) устойчивость (стабильность) сверхпроводящего состояния. В соответствии с моделью критического состояния транспортный ток по мере роста сначала заполняет внутреннюю часть обмотки и далее продвигается в глубину к внешнему радиусу. Особенностью распределения магнитного поля в геликоиде, отличающей его от обычных сверхпроводящих магнитов, является отсутствие в толще обмотки обратного магнитного поля, притивоположного по направлению поля в центре магнита. Определены причины этого явления и предложена расчетная модель, позволяющая с хорошей точностью получить радиальное распределение поля, соответствующее измеренному. Выяснено, что при непосредственном охлаждении жидким гелием при температуре 4.2 K только цилиндрических поверхностей обмотки геликоид стационарно устойчив к любым ограниченным во времени возмущениям при конструктивной плотности тока J< 7· 107 А/м2. Скорость изменения индукции магнитного поля в обмотке B < 10-2 Тл/с обеспечивает динамическую стабильность и гарантирует достижение критического состояния во всем поперечном сечении геликоида, когда он несет максимальный транспортный ток.